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상담신청현황 
| 신청번호 | TCR-2025-019 | 기관 | - 한국핵융합에너지연구원 | 진행현황 | 취소 |
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| 상담제목 | SiC 표면 개질 | ||||
| 기업명 | 하나머티리얼즈 | 대표자 | 김현주 |
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| 사업자번호 | 312-81-88209 | 대표전화 | |
| 기업분류 | 소재지 | ||
| 인장 | |||
| 성명 | 이*영 | 직책 | 수석 |
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| 연락처 | 이메일 | ||
| 지원구분 | 장비 활용 | ||
| 지원 신청 분야 | 애로기술 지원상담신청 내용 |
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| 기술자문 / 지도 | SiC의 Ra, Rz 저감 및 tool mark free 를 위한 테스트 |
| 장비활용 | 초정밀 연마용 플라즈마 외 |
| 기술 정보 | |
| 기타 | 플라즈마기술연구소 최용섭소장님과 사전 미팅 완료 |
| 애로기술명 | SiC 표면개질개선 | |
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| 내 용 | 개요 | SiC의 Ra, Rz 저감 및 tool mark free 를 위한 테스트 |
| 필요성 | SiC의 Ra, Rz 저감 및 tool mark free 제품 확보 필요 | |
| 기대효과 | SiC의 Ra, Rz 저감 및 tool mark free | |
| 기존 기술의 문제점 | mechanical polishing보다 더 낮은 거칠기의 제품이 필요 | |
| 기타 특의사항 | ||
| 첨부파일 | ||
