기업맞춤형 기술지원, 정책뉴스, 지원사업소개, 유망기술 제공 등
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상담신청현황 
| 신청번호 | TCR-2024-011 | 기관 | - 한국핵융합에너지연구원 | 진행현황 | 취소 |
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| 상담제목 | (현장대면상담신청) SiC 초정밀 연마기술 도입검토 | ||||
| 기업명 | 티에스디씨(주) | 대표자 | 안재혁 |
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| 사업자번호 | 135-86-10128 | 대표전화 | 031-354-7465 |
| 기업분류 | 중소기업 | 소재지 | 경기도 화성시 정남면 안념길 150번길 75 |
| 인장 | |||
| 성명 | 전*욱 | 직책 | 부장 |
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| 연락처 | 이메일 | ||
| 지원구분 | 장비 활용 | ||
| 지원 신청 분야 | 애로기술 지원상담신청 내용 |
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| 기술자문 / 지도 | 최용섭 박사님이 개발하신, SiC 초정밀 연마기술을 활용하여 SiC Wafer 및 SiC Pat's 연마에 적용해 보고싶습니다 |
| 장비활용 | SiC 초정밀 연마기술 도입검토 관련 샘플Wafer 및 샘플Part's를 실제로 연마해 보고 기술이전에 대한 판단을 하고자 합니다. |
| 기술 정보 | 2020.12.17. 유튜브에 등록한 자료.. [KFE사업화 유망기술] 플라즈마를 이용한 SiC 초정밀 연마 방법 및 장치 |
| 기타 | - |
| 애로기술명 | SiC Wafer 표면연마 | |
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| 내 용 | 개요 | SiC Wafer 및 SiC부품(SiC증착된 부품)을 위한 Reclaim장비의 개발 |
| 필요성 | 전력반도체의 핵심 소재인 SiC Wafer는 기존의 반도체 소자용 Wafer에 비해 고가이기 때문에 원가의 부담이 됩니다 그렇기 때문에 SiC Wafer는 Reclaim을 통해 원가를 낮출 필요가 있습니다 |
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| 기대효과 | 국내 전력반도체 회사의 제조원가를 낮추어 국제경쟁력 확보 | |
| 기존 기술의 문제점 | 물리적인 연마방식을 통해 Reclaim을 진행하고 있으며, 그 기술 또한 일본에 많이 의존하고 있음 | |
| 기타 특의사항 | 2024년 5월22일 1차적으로 화상회의를 통해, 기술적으로 구현이 가능하다는 의견을 들었습니다(최용섭 박사님) 해서, 현재 폐사에서 보유중인 샘플Wafer 및 샘플Part's를 실제로 연마해 보고 기술이전에 대한 판단을 하고자 합니다. |
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| 첨부파일 | ||
