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상담신청현황 
| 신청번호 | TCR-2024-006 | 기관 | - 한국핵융합에너지연구원 | 진행현황 | 완료 |
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| 상담제목 | SiC 초정밀 연마기술 도입검토 | ||||
| 기업명 | 티에스디씨(주) | 대표자 | 안재혁 |
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| 사업자번호 | 135-86-10128 | 대표전화 | 031-354-7465 |
| 기업분류 | 중소기업 | 소재지 | 경기도 화성시 정남면 안념길 150번길 75 |
| 인장 | |||
| 성명 | 전*욱 | 직책 | 부장 |
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| 연락처 | 이메일 | ||
| 지원구분 | 기술 자문/지도 | ||
| 지원 신청 분야 | 애로기술 지원상담신청 내용 |
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| 기술자문 / 지도 | 2020.12.17. 유튜브에 올라온 자료 "KFE사업화 유망기술] 플라즈마를 이용한 SiC 초정밀 연마방법 및 장치"에 대한 자료를 보았습니다. 관련하여 본 기술을 도입하여 적용하고 싶습니다. *자료 발표자: 최용섭 책임연구원 |
| 장비활용 | - |
| 기술 정보 | - |
| 기타 | - |
| 애로기술명 | SiC Wafer 표면연마 | |
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| 내 용 | 개요 | SiC Wafer Reclaim장비의 개발 |
| 필요성 | 전력반도체의 핵심 소재인 SiC Wafer는 기존의 반도체 소자용 Wafer에 비해 고가이기 때문에 원가의 부담이 됩니다 그렇기 때문에 SiC Wafer는 Reclaim을 통해 원가를 낮출 필요가 있습니다 |
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| 기대효과 | 국내 전력반도체 회사의 제조원가를 낮추어 국제경쟁력 확보 | |
| 기존 기술의 문제점 | 물리적인 연마방식을 통해 Reclaim을 진행하고 있으며, 그 기술 또한 일본에 많이 의존하고 있음 | |
| 기타 특의사항 | - | |
| 첨부파일 | ||
| 진행현황 | 완료 | |||
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| 조치일자 | 2024-05-14 | |||
| 담당자 | 성명 | 이태우 | ||
| 부서명 | 성과확산실 | 직위 | ||
| 담당연구원 | 성명 | 최용섭 | ||
| 부서명 | 플라즈마기술연구소 | 직위 | ||
| 검토결과 | ㅇ담당자배정('24.05.14(화)) ㅇ기술상담 진행 -일시/방법: '24.05.22(수), 14:00~15:00 (1h) / 화상회의 -주요내용: SiC 초정밀 연마기술 도입검토 |
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