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| 기술명 | (2-1) ECR 플라즈마 발생장치 및 고품질 박막 증착장치 | ||
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| 기술완성도(TRL) | TRL6 | ||
| 주발명자 | 김성봉 | ||
| 출원번호 | 10-2012-0049386 | 출원일 | 2012-05-09 |
| 등록번호 | 10-1383530 | 등록일 | 2014-04-02 |
| 연구분야 | 플라즈마 발생 장치, 스퍼터 장치 | ||
| 관련 특허번호 |
10-2012-0049386  10-138353010-130701910-1677441
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| 기술개요 | • 선형(Linear) 구조 및 원형(Cylinder) 구조 모두가 가능한 ECR 플라즈마 발생 장치에 관한 기술임. • 벨트형 자석 구조와 이에 맞는 마이크로파 Launcher가 핵심 기술임. • 플라즈마 장치, 이온빔 장치, 스퍼터 장치 등에 활용 가능함. |
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| 기술적 개선점 | • 금속 챔버 벽을 사용함으로써, Quartz나 Ceramic 재질의 챔버 벽을 사용하는 기존 기술의 여러 가지 문제점을 해결함. • 도파관 구조의 마이크로파 Launcher를 사용함으로써, 안테나를 통하여 마이크로파를 입사하는 기존 기술의 여러 가지 문제점을 해결함. • 기존 ECR 플라즈마의 형태에서 벗어나, 선형 장치 및 원형 장치 모두 가능함. |
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| 시장전망 | • 전 세계 반도체 제조장비 시장은 2020년 624억 달러에서 연평균 성장률 9.0%로 증가하여, 2025년에는 959억 달러에 이를 것으로 전망됨. • 국내 반도체 제조장비 시장은 2020년 128억 2000만 달러에서 연평균 성장률 8.9%로 증가하여, 2025년에는 196억 4000만 달러에 이를 것으로 전망됨. |
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| 기술사진 및 설명1 |
 • 자석이 벨트와 같은 형태로 구성되어 있고, 자석 사이의 간격이 없어 플라즈마 가둠 효과가 뛰어나 고밀도 플라즈마 발생이 가능함.• 슬릿을 포함한 도파관 구조의 마이크로파 Launcher는 ECR 가열 효과가 뛰어난 곳에 위치함. • 챔버 벽은 SUS와 같은 금속으로 구성이 가능하여 Quartz, Ceramic 재질의 벽에서 국부 가열에 의한 Crack에 대한 문제와 챔버 벽의 오염에 의한 마이크로파 효율 감소 등의 문제에서 자유로움. |
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| 기술사진 및 설명2 |
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| 응용분야 | • 디스플레이 : 고품질 박막 증착 장비(투명전극, 산화막, 질화막 등) • 반도체 : 식각 장비, 이온빔 장치 |
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| 예상설비구축비용 | 장비 유형(선형, 원형) 및 크기에 따라 상이 | 설비 및 이전예상소요시간 |
6~12개월 |
| 참고 자료 |
2-1_ECR_플라즈마_발생장치_및_고품질_박막_증착장치.pdf
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| 기술문의 | 성과확산실 안유섭 042-879-6235, yousub@kfe.re.kr | ||
